系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：32nC @ 8V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1100pF @ 6V

Vgs（最大值）：±8V

功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），5.7W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：20 毫欧 @ 6.5A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

封装形式Package：ChipFET-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：12V

连续漏极电流ID：6A

漏源极导通电阻RDS(ON)：20mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs