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SI5435BDC-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI5435BDC-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 4.3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):-

功率 - 最大值:1.3W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

供应商器件封装:1206-8 ChipFET?

其它名称:SI5435BDC-T1-E3TRSI5435BDCT1E3

供应商SI5435BDC-T1-E3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI5435BDC-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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SI5435BDC-T1-E3P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO94.75 Kbytes共6页SI5435BDC-T1-E3的PDF下载地址SI3552DV_05,SI1073X,SI4925BDY,SI8409DB,SI9435BDY_05,SI3590DV_06,SI6955ADQ,SI1433DH_08,SI3457CDV,SI3483CDV
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