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SI5404BDC-T1-E3 /Single N-Channel 20 V 0.028 Ohm Surface Mount Power MosFet - ChipFET-1206-8
SI5404BDC-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.4A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

功率耗散(最大值):1.3W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):28 毫欧 @ 5.4A,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SMD,扁平引线

封装形式Package:ChipFET-8

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:5.4A

漏源极导通电阻RDS(ON):28mOhms

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SI5404BDC-T1-E3
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI5404BDC-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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SI5404BDC-T1-E3N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO93.63 Kbytes共6页SI5404BDC-T1-E3的PDF下载地址SI9925DY,SI3442BDV_08,SI6926ADQ_05,SI3446DV,SI4562DY_06,SI1012R_08,SI1032R_08,SI1303DL_08,SI1403BDL,SI9934DY
SI5404BDC-T1-E3的全球分销商及价格
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SI5404BDC-T1-E3Siliconix / VishayN-CHANNEL 2.5V (G-S) MOSFET+3000:$0.74
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SI5404BDC-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20 Volt 7.5 Amp 2.5W3000+:¥1.71
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SI5404BDC-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 20 V 0.028 Ohm Surface Mount Power MosFet - ChipFET-1206-8
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