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SI2335DS-T1 /
SI2335DS-T1的规格信息
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产品种类MOSFET

晶体管极性P-Channel

汲极/源极击穿电压12 V

闸/源击穿电压+/- 8 V

漏极连续电流4 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）0.051 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TO-236-3

封装Reel

下降时间15 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散750 mW

上升时间15 ns

工厂包装数量3000

商标名TrenchFET

典型关闭延迟时间50 ns

供应商SI2335DS-T1
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI2335DS-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2335DS-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2335DS-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2335DS-T1航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2335DS-T1-E3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市大源实业科技有限公司SI2335DS-T1-E3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915，13762584085		李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2335DS-T1上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
集好芯城SI2335DS-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2335DS-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2335DS-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳诚思涵科技有限公司SI2335DS-T1-E3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市成源运利电子科技有限公司SI2335DS-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2335DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳市天卓伟业电子有限公司SI2335DS-T1深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市莱杰信科技有限公司SI2335DS-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
18207603663,18718561290		吴小姐，曹先生Email:320966349@qq.com询价
深圳盛兴电子科技有限公司SI2335DS-T1-GE3华强电子3号（佳和）潮流前线负一楼1B1410755-83796817
15072058203		柯先生Email:3211176197@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SI2335DS-T1-E3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SI2335DS-T1深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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深圳市诺普讯电子科技有限公司SI2335DS-T1-GE3嘉汇新城汇商中心281818928437827 13079621333
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深圳市金华微盛电子有限公司SI2335DS-T1深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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SI2335DS-T1连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道VBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO905.86 Kbytes共9页SI2335DS-T1的PDF下载地址无
SI2335DS-T1-E3P-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1046.96 Kbytes共9页SI2335DS-T1-E3的PDF下载地址无
SI2335DS-T1-GE3MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO78.48 Kbytes共5页SI2335DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2335DS-T1的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SI2335DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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Digi-Key 得捷电子		SI2335DS-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 12V 4.0A FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥2.34
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2335DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2335DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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Mouser 贸泽电子		SI2335DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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立创商城		SI2335DS-T1VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道5+:￥0.405665
50+:￥0.299758
150+:￥0.280305
500+:￥0.260853
2500+:￥0.252207
5000+:￥0.247935
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