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SI2329DS-T1-GE3 /MOSFET -8V Vds 5V Vgs SOT-23
SI2329DS-T1-GE3的规格信息
SI2329DS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:8 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:19.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI2

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:2 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:8 mg

供应商SI2329DS-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI2329DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司Si2329DS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2329DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2329DS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2329DS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2329DS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2329DS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2329DS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2329DS-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市全秀电子有限公司Si2329DS-T1-GE3东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
13129599479		刘群Email:13129599479@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2329DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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SI2329DS-T1-GE3MOSFET -8V Vds 5V Vgs SOT-23Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO229.63 Kbytes共10页SI2329DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2329DS-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO190.73 Kbytes共9页SI2329DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2329DS-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-8V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 5.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO228.35 Kbytes共10页SI2329DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2329DS-T1-GE3SI2329DS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 6 A; 8 V; 3-Pin TO-236Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO190.73 Kbytes共9页SI2329DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2329DS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2329DS-T1-GE3Siliconix / VishaySI2329DS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 6 A; 8 V; 3-Pin TO-236+300:$0.68
+600:$0.67
+1500:$0.66
+3000:$0.62
元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet		SI2329DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.581+:￥3.42
10+:￥2.7
100+:￥2.05
500+:￥1.74
1000+:￥1.62
3000+:￥1.62
6000+:￥1.4801
9000+:￥1.47
24000+:￥1.421+:￥5.0101
10+:￥3.9901
100+:￥3.583000+:￥1.89
15000+:￥1.77
30000+:￥1.72
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2329DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3$0.62000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2329DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.58
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI2329DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.581+:￥3.42
10+:￥2.7
100+:￥2.05
500+:￥1.74
1000+:￥1.62
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6000+:￥1.4801
9000+:￥1.47
24000+:￥1.421+:￥5.0101
10+:￥3.9901
100+:￥3.58
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2329DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -8V Vds 5V Vgs SOT-231:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2329DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥1.581+:￥3.42
10+:￥2.7
100+:￥2.05
500+:￥1.74
1000+:￥1.62
3000+:￥1.62
6000+:￥1.4801
9000+:￥1.47
24000+:￥1.42
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI2329DS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-8V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 5.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道1+:￥2.94
10+:￥2.16
30+:￥2.02
100+:￥1.87
500+:￥1.81
1000+:￥1.78
SI2329DS-T1-GE3的相关型号
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