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SI2305 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道
SI2305的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.2A

栅源极阈值电压500mV @ 250uA(最小)

漏源导通电阻65mΩ @ 4.2A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.38W

类型P沟道

供应商SI2305
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深圳亿恒升电子有限公司SI2305DS-T1-E3都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI2305ADS-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2305ADS-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城SI2305CDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市斌腾达科技有限公司SI2305CDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2305B-TP深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市赛美科科技有限公司SI2305广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市水星电子有限公司SI2305CDS-T1-GE3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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SI2305的全球分销商及价格
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SI2305CDS-T1-GE3Siliconix / VishaySI2305CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 4.4 A; 8 V; 3-Pin SOT-23+3000:$0.64
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Am2
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Am2
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SI2305ADS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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Arrow(艾睿)
SI2305CDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 8.0V 5.8A 1.7W 35mohm @ 4.5V3000+:¥0.9
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SI2305CDS-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.094
14,999 : $0.0894
29,999 : $0.0887
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Avnet Express
SI2305CDS-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel17,999 : $0.081
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Avnet Express
SI2305DS-T1-E3Vishay SemiconductorsP-CH MOSFET - PB FREE3,000 : $0.2305
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Bristol Electronics
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Chip One Exchange
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SI2305ADS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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SI2305ADS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3Obsolete
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SI2305DS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 8V 3.5A 1.25W1+:¥3.65
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SI2305-TPMicro Commercial CoMOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23$0.43000
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SI2305ADS-T1-GE3Vishay SiliconixP CHANNEL MOSFET -8V 4.1A TO-236
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SI2305CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23
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SI2305CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 8 V 0.035 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-236
RoHS : Compliant
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Mouser 贸泽电子
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10:¥3.9324
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SI2305CDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-231:¥3.7629
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SI2305CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET P-Channel 8V 4.4A SOT23价格未公开
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100+:¥1.1601
500+:¥1.04
1000+:¥0.89
3000+:¥0.8201
6000+:¥0.81
9000+:¥0.81
24000+:¥0.756000+:¥1.023000+:¥0.56
12000+:¥0.541+:¥1.451+:¥0.81+:¥0.76
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SI2305CDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R$0.0987
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SI2305Hottech(合科泰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 2A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道10+:¥0.26106
100+:¥0.197585
300+:¥0.185927
1000+:¥0.174268
5000+:¥0.169087
10000+:¥0.166526
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SI2305BORN伯恩半导体连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:52mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道10+:¥0.278904
100+:¥0.203934
300+:¥0.190164
1000+:¥0.176394
5000+:¥0.170274
10000+:¥0.16725
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SI2305TWGMC(台湾迪嘉)MOS(场效应管)10+:¥0.28518
100+:¥0.21021
300+:¥0.19644
1000+:¥0.18267
5000+:¥0.17655
10000+:¥0.173526
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SI2305MDDMOS(场效应管)10+:¥0.210586
100+:¥0.155608
300+:¥0.14551
1000+:¥0.135412
5000+:¥0.130924
10000+:¥0.128707
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SI2305KEXIN(科信)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道10+:¥0.272934
100+:¥0.197964
300+:¥0.184194
1000+:¥0.170424
5000+:¥0.164304
10000+:¥0.16128
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SI2305AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道10+:¥0.296094
100+:¥0.218625
300+:¥0.204396
1000+:¥0.190167
5000+:¥0.183843
10000+:¥0.180719
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SI2305ADS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.50047
50+:¥0.367023
150+:¥0.342512
500+:¥0.318002
2500+:¥0.307108
5000+:¥0.301725
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SI2305B-TPMCC(美微科)MOS(场效应管)5+:¥0.681286
50+:¥0.513353
150+:¥0.482508
500+:¥0.451663
2500+:¥0.437955
5000+:¥0.431181
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SI2305CDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):-8V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 4.4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):960mW 类型:P沟道1+:¥0.9455
10+:¥0.7355
30+:¥0.697
100+:¥0.59256
500+:¥0.57717
1000+:¥0.56952
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SI2305CDS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)10+:¥0.32624
100+:¥0.238275
300+:¥0.222118
1000+:¥0.205962
5000+:¥0.198781
10000+:¥0.195233
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SI2305DS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)10+:¥0.382274
100+:¥0.287428
300+:¥0.270007
1000+:¥0.252586
5000+:¥0.244844
10000+:¥0.241018