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SI2305A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道
SI2305A的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.2A

栅源极阈值电压500mV @ 250uA(最小)

漏源导通电阻65mΩ @ 4.2A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.38W

类型P沟道

供应商SI2305A
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深圳市微碧半导体有限公司SI2305ADS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市芯幂科技有限公司SI2305A深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司SI2305ADS-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI2305ADS-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市坤融电子有限公司SI2305ADS-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2305ADS-T1GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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深圳市大源实业科技有限公司SI2305ADS-T1GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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深圳市莱杰信科技有限公司SI2305ADS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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SI2305A连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO415.48 Kbytes共4页SI2305A的PDF下载地址
SI2305ADSP-Channel 8-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO139.51 Kbytes共7页SI2305ADS的PDF下载地址SI1051X,SI5941DU,SIA414DJ,SI5945DU,SI3552DV_05,SI2303BDS_08,SI2351DS,SI2301CDS,SI6955ADQ,SI4845DY
SI2305ADS-T1-E3P-Channel 8-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO139.51 Kbytes共7页SI2305ADS-T1-E3的PDF下载地址SI1051X,SI5941DU,SIA414DJ,SI5945DU,SI3552DV_05,SI2303BDS_08,SI2351DS,SI2301CDS,SI6955ADQ,SI4845DY
SI2305ADS-T1-GE3P-Channel 8-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO139.51 Kbytes共7页SI2305ADS-T1-GE3的PDF下载地址SI1051X,SI5941DU,SIA414DJ,SI5945DU,SI3552DV_05,SI2303BDS_08,SI2351DS,SI2301CDS,SI6955ADQ,SI4845DY
SI2305ADS-T1-GE3P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1035.14 Kbytes共9页SI2305ADS-T1-GE3的PDF下载地址
SI2305A的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Arrow(艾睿)
SI2305ADS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
SI2305ADS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
SI2305ADS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
SI2305ADS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品20+:¥3.28
100+:¥2.81
500+:¥2.6899
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element14 Asia-Pacific
SI2305ADS-T1-GE3Vishay SiliconixP CHANNEL MOSFET -8V 4.1A TO-236
RoHS : Compliant
20 : $2.8
100 : $2.4
500 : $2.3
1,000 : $2.0
2,500 : $1.9
5,000 : $1.8
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Mouser 贸泽电子
SI2305ADS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品价格未公开
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立创商城
SI2305AUMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:500mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:65mΩ @ 4.2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:P沟道10+:¥0.296094
100+:¥0.218625
300+:¥0.204396
1000+:¥0.190167
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立创商城
SI2305ADS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:¥0.50047
50+:¥0.367023
150+:¥0.342512
500+:¥0.318002
2500+:¥0.307108
5000+:¥0.301725