• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
NE856M02 / Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89
NE856M02的规格信息
暂无图片

图像仅供参考,请参阅规格书

集电极电流(DC ):0.1 A

集电极 - 基极电压:20 V

集电极 - 发射极电压:12 V

发射极 - 基极电压:3 V

频率:6500 MHz

功率耗散:1.2 W

安装:Surface Mount

工作温度范围:-65C to 150C

包装类型:SOT-89

引脚数:3 +Tab

元件数:1

直流电流增益:50

工作温度分类:Military

弧度硬化:No

晶体管极性:NPN

供应商NE856M02
NE856M02的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市成源运利电子科技有限公司NE856M02-T1-A深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司NE856M02-T1航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司NE856M02深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市高捷半导体有限公司NE856M02-T1-AZ深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司NE856M02深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城NE856M02-T1-A深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司NE856M02深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司NE856M02-AZ深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
万三科技(深圳)有限公司NE856M02-AZ深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516,18818598465
18818598465
王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司NE856M02-AZ深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司NE856M02-T1深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
上海山峻电子有限公司NE856M02-T1-AZ上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344
樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市四方电子商行NE856M02新亚洲电子商城0755-88914530
13723412442
张先生Email:492669856@qq.com询价
NE856M02及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
NE856M02NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO63.04 Kbytes共7页NE856M02的PDF下载地址2SC5336,2SC5337,2SC5338,NE461M02,2SC4955,2SC4956,2SC4957,2SC2351,2SC4958,2SC2570A
NE856M02NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO206.93 Kbytes共8页NE856M02的PDF下载地址2N6059_03,NE856,2SC1815_05,MMBT1815L,MMBT9014,MMBTA44,MPS5179_06,NE678M04,NE662M04
NE856M02-AZRF 晶体管 NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W 表面贴装型 SOT-89CELCEL的LOGO2.58 Mbytes共12页NE856M02-AZ的PDF下载地址
NE856M02-T1NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER NEC[NEC]NEC[NEC]的LOGO63.04 Kbytes共7页NE856M02-T1的PDF下载地址2SC5336,2SC5337,2SC5338,NE461M02,2SC4955,2SC4956,2SC4957,2SC2351,2SC4958,2SC2570A
NE856M02-T1-AZNPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO206.93 Kbytes共8页NE856M02-T1-AZ的PDF下载地址2N6059_03,NE856,2SC1815_05,MMBT1815L,MMBT9014,MMBTA44,MPS5179_06,NE678M04,NE662M04
NE856M02的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
NE856M02-AZCELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp150+:¥91+:¥8.53
10+:¥7.65
100+:¥6.6701
500+:¥6.12
1000+:¥5.921+:¥5.61
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
NE856M02-T1-AZCELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp1000+:¥5.34
2000+:¥4.9901
5000+:¥4.74
10000+:¥4.56
25000+:¥4.41
50000+:¥4.281+:¥6.9
100+:¥5.68
500+:¥5.53
1000+:¥5.28
2000+:¥4.771+:¥5.06
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop
NE856M02-T1-AZCalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
RoHS : Compliant
5 : $0.927
100 : $0.906
1,000 : $0.742
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
NE856M02-AZCELRF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
NE856M02-AZCELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp150+:¥9
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
NE856M02-T1-AZCalifornia Eastern Laboratories (CEL)RF TRANSISTOR NPN SOT-895,000 : $0.6517
2,000 : $0.686
1,000 : $0.735
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
NE856M02-T1-AZCELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp1000+:¥5.34
2000+:¥4.9901
5000+:¥4.74
10000+:¥4.56
25000+:¥4.41
50000+:¥4.28
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics
NE856M02-T1-AZCalifornia Eastern Laboratories (CEL)NE856M Series 1 GHz 100 mA NPN Surface Mount Silicon Transistor - SOT-89
RoHS : Compliant
1,000 : $0.6611
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
NE856M02-AZCELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp150+:¥91+:¥8.53
10+:¥7.65
100+:¥6.6701
500+:¥6.12
1000+:¥5.92
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
NE856M02-T1-AZCELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp1000+:¥5.34
2000+:¥4.9901
5000+:¥4.74
10000+:¥4.56
25000+:¥4.41
50000+:¥4.281+:¥6.9
100+:¥5.68
500+:¥5.53
1000+:¥5.28
2000+:¥4.77
元器件资料网-Richardson RFPD的LOGO
Richardson RFPD
NE856M02Renesas Electronics CorporationRF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT1 : $0.0
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
NE856M02-T1-AZCELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN Low Distort Amp1000+:¥5.34
2000+:¥4.9901
5000+:¥4.74
10000+:¥4.56
25000+:¥4.41
50000+:¥4.281+:¥6.9
100+:¥5.68
500+:¥5.53
1000+:¥5.28
2000+:¥4.771+:¥5.061+:¥4.41
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
NE856M02-T1-AZCalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R$0.7176