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NE85633-T1B-R25-A /CEL/分立半导体产品
NE85633-T1B-R25-A的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

频率 - 跃迁：7GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.1dB @ 1GHz

增益：11.5dB

功率 - 最大值：200mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：125 @ 20mA, 10V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23

其它名称：NE85633-T1B-R25-A-NDNE85633-T1B-R25-ATRNE85633T1BR25A

供应商NE85633-T1B-R25-A
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深圳市辉华拓展电子有限公司NE85633-T1B-R25-A深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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NE85633-T1B-R25-ARF 晶体管 NPN 12V 100mA 7GHz 200mW 表面贴装型 SOT-23-3CELCEL的LOGO2.33 Mbytes共9页NE85633-T1B-R25-A的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		NE85633-T1B-R25-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency3000+:￥3.56
6000+:￥3.38
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75000+:￥3.051+:￥4.81
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Mouser 贸泽电子		NE85633-T1B-R25-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency3000+:￥3.56
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