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NE85633-T1B-A /CEL/分立半导体产品
NE85633-T1B-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

频率 - 跃迁:7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz

增益:11.5dB

功率 - 最大值:200mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23

其它名称:2SC3356-T1BNE85633B-ATRNE85633T1BA

供应商NE85633-T1B-A
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NE85633-T1B-ANECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR CELDUC[celduc-relais]CELDUC[celduc-relais]的LOGO832.78 Kbytes共26页NE85633-T1B-A的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
NE85633-T1B-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency3000+:¥3.1601
6000+:¥2.9901
15000+:¥2.89
30000+:¥2.79
75000+:¥2.71+:¥3.71
100+:¥3.59
500+:¥3.5001
1000+:¥3.34
3000+:¥3.19
6000+:¥31+:¥3.09
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Avnet Express
NE85633-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILLATOR TRANSISTOR, ROHS COMPLI - Tape and Reel3,000 : $0.3981
14,999 : $0.3792
29,999 : $0.3716
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Bristol Electronics
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NE85633-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS : Compliant
5 : $1.13
100 : $0.796
1,000 : $0.489
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Digi-Key 得捷电子
NE85633-T1B-ACELRF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
NE85633-T1B-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency3000+:¥3.1601
6000+:¥2.9901
15000+:¥2.89
30000+:¥2.79
75000+:¥2.7
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Digi-Key 得捷电子
NE85633-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)RF TRANSISTOR NPN SOT-236,000 : $0.4123
3,000 : $0.434
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Future Electronics
NE85633-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NE856 Series 12 V 7 GHz NPN Silicon High Frequency Transistor - Super SOT-23
RoHS : Compliant
3,000 : $0.4
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Mouser 贸泽电子
NE85633-T1B-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency3000+:¥3.1601
6000+:¥2.9901
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500+:¥3.5001
1000+:¥3.34
3000+:¥3.19
6000+:¥3
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NE85633-T1B-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency3000+:¥3.1601
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Verical
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