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NE851M13-T3-A /CEL/分立半导体产品
NE851M13-T3-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:剪切带(CT)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V

频率 - 跃迁:4.5GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益:4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ

功率 - 最大值:140mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,1V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-3

供应商器件封装:M13

其它名称:NE851M13-T3-ACT

供应商NE851M13-T3-A
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