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NE85639R-T1-A /CEL/分立半导体产品

NE85639R-T1-A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

频率 - 跃迁：9GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz

增益：13.5dB

功率 - 最大值：200mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 20mA，10V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-143R

供应商器件封装：SOT-143R

其它名称：NE85639R-ATR

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	NE85639R-T1-A	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	NE85639R-T1-A	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
广州双智信息科技有限公司	NE85639R-T1-A	广州市番禺区南村镇金源路26号	13434212521	张儒智	询价
鸿科电子贸易有限公司	NE85639R-T1-A	深圳市福田区电子科技大厦C座37F2	0755-83228925 19925272019	李	询价
万三科技（深圳）有限公司	NE85639R-T1-A	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市泓建半导体有限公司	NE85639R-T1-A	深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2070号电子科技大厦C座7B12	18617195508 18617195508	蔡永记	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
NE85639R-T1-A	RF 晶体管 NPN 12V 100mA 9GHz 200mW 表面贴装型 SOT-143R	CEL		827.19 Kbytes	共26页		无

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