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NE85618-T1-A /CEL/分立半导体产品
NE85618-T1-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

频率 - 跃迁:6.5GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz

增益:13dB

功率 - 最大值:150mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-82A,SOT-343

供应商器件封装:SOT-343

供应商NE85618-T1-A
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NE85618-T1-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品3000+:¥3.16011+:¥5.1
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NE85618-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILLATOR TRANSISTOR, ROHS COMPLI - Tape and Reel3,000 : $0.3981
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NE85618-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)6.5 GHz 13 dB 150 mW 12 Vce NPN Silicon RF Transistor - SOT 343
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