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NE85633-T1B /CEL/分立半导体产品
NE85633-T1B的规格信息
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标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

频率 - 跃迁:7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB ~ 2dB @ 1GHz

增益:9dB

功率 - 最大值:200mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23

其它名称:2SC3356NE85633-T1BTRNE85633-TRNE85633TR

供应商NE85633-T1B
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NE85633-T1B-R23-ARF 晶体管 NPN 12V 100mA 7GHz 200mW 表面贴装型 SOT-23-3CELCEL的LOGO2.33 Mbytes共9页NE85633-T1B-R23-A的PDF下载地址
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NE85633-T1BCELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency3000+:¥3.1601
6000+:¥2.9901
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500+:¥4.06
1000+:¥3.97
3000+:¥
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NE85633-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILLATOR TRANSISTOR, ROHS COMPLI - Tape and Reel3,000 : $0.3981
14,999 : $0.3792
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NE85633-T1B-ANEC Electronics Group价格未公开
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NE85633-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS : Compliant
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NE85633-T1BCELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency3000+:¥3.1601
6000+:¥2.9901
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NE85633-T1BCELRF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23Obsolete
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NE85633-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)RF TRANSISTOR NPN SOT-236,000 : $0.4123
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NE85633-T1B-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency3000+:¥3.1601
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6000+:¥3.38
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30000+:¥3.1601
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NE85633-T1B-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NE856 Series 12 V 7 GHz NPN Silicon High Frequency Transistor - Super SOT-23
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Verical
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6000+:¥2.9901
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