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NE85634 / 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
NE85634的规格信息
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制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2000

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—基极电压 VCBO:20 V

集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V

发射极 - 基极电压 VEBO:3 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

增益带宽产品fT:65000 MHz (Typ)

最大工作温度:+ 150 C

商标:Diodes Incorporated

直流集电极/Base Gain hfe Min:50 at 20 mA at 1 V

最小工作温度:- 65 C

Pd-功率耗散:2000 mW

供应商NE85634
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NE85634-ACELRF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89Obsolete
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NE85634-T1-RF-ACELRF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89Obsolete
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NE85634-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NE856 Series 12 V 7 GHz NPN Silicon High Frequency Transistor - Super SOT-323
RoHS : Compliant
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