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NE85639R-T1 /CEL/分立半导体产品
NE85639R-T1的规格信息
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标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

频率 - 跃迁:9GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz

增益:13.5dB

功率 - 最大值:200mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-143R

供应商器件封装:SOT-143R

其它名称:2SC4093R-T1NE85639R-T1TRNE85639R-TRNE85639RTR

供应商NE85639R-T1
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