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NE85619-T1 /CEL/分立半导体产品
NE85619-T1的规格信息
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标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

频率 - 跃迁:4.5GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益:6.5dB ~ 12.5dB

功率 - 最大值:100mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-523

供应商器件封装:SOT-523

其它名称:2SC5006NE85619-T1TRNE85619-TRNE85619TR

供应商NE85619-T1
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NE85619-T1的全球分销商及价格
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Avnet Express
NE85619-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILLATOR TRANSISTOR, ROHS COMPLI - Tape and Reel3,000 : $0.3176
14,999 : $0.3009
29,999 : $0.2937
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Chip1Stop
NE85619-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R
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5 : $0.44
500 : $0.37
2,000 : $0.352
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Chip1Stop
NE85619-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R
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NE85619-T1CELRF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523Obsolete
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NE85619-T1CELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor3000+:¥2.6501
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15000+:¥2.42
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75000+:¥2.27
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NE85619-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)RF TRANSISTOR NPN SOT-5236,000 : $0.3458
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Mouser 贸泽电子
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10+:¥3.77
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Richardson RFPD
NE85619-T1Renesas Electronics CorporationRF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT1 : $0.18
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Verical
NE85619-T1Renesas Electronics CorporationTrans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R$0.2