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NE85634-A /CEL/分立半导体产品
NE85634-A的规格信息
NE85634-A的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:散装

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):12V

频率 - 跃迁:6.5GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz

增益:9dB

功率 - 最大值:2W

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89

其它名称:NE85634A

供应商NE85634-A
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NE85634-ANPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO216.06 Kbytes共6页NE85634-A的PDF下载地址
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NE85634-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 半导体 射频双极晶体管 NPN High Frequency1+:¥11.7099
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NE85634-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled999 : $0.639
1,799 : $0.6148
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20 : $0.6722
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