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NE850R599A / 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.5W C-Band MESFET

NE850R599A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:CEL

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

商标:CEL

晶体管类型:MESFET

技术:GaAs

增益:9.5 dB

Vds-漏源极击穿电压:15 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 12 V

Id-连续漏极电流:430 mA

最大工作温度:+ 130 C

Pd-功率耗散:3 W

安装风格:Screw

封装 / 箱体:Outline99

封装:Bulk

正向跨导 - 最小值:150 mS

工作频率:7.2 GHz

P1dB - 压缩点:26.5 dBm

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深圳市芯幂科技有限公司	NE850R599A	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市惊羽科技有限公司	NE850R599A	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市智连鑫科技有限公司	NE850R599A	深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼	13357276588 13357276588	张小姐	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	NE850R599A	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
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朋盈（上海）科技有限公司	NE850R599A	上海市浦东新区新场镇笋南路187号1578室	18317142458 18317142458	陈小姐	询价

NE850R599A及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
NE850R599A	C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET	CEL[California Eastern Labs]		22.95 Kbytes	共2页		无
NE850R599A	C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET	NEC[NEC]		19.07 Kbytes	共2页		AFM04P3-000,AFM04P3-212,NEZ4450-15BD,AFM04P3-213,NE6510179A,SXA-389,FLL400IP-2,HMC383LC4,NE85001,HMC300LM1

NE850R599A的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Area51	NE850R599A	NEC Electronics Group	SEMI Date Code: 99	价格未公开

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