NE850R599A的供应商，NE850R599A规格参数，NE850R599A的PDF资料

NE850R599A / 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.5W C-Band MESFET

NE850R599A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:CEL

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

商标:CEL

晶体管类型:MESFET

技术:GaAs

增益:9.5 dB

Vds-漏源极击穿电压:15 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 12 V

Id-连续漏极电流:430 mA

最大工作温度:+ 130 C

Pd-功率耗散:3 W

安装风格:Screw

封装 / 箱体:Outline99

封装:Bulk

正向跨导 - 最小值:150 mS

工作频率:7.2 GHz

P1dB - 压缩点:26.5 dBm

NE850R599A的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	NE850R599A	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市惊羽科技有限公司	NE850R599A	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市华芯盛世科技有限公司	NE850R599A	深圳市福田区上步工业区201栋530室	0755-23941632 13723794312微信同号	朱先生	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	NE850R599A	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市百润电子有限公司	NE850R599A	深圳市华强北华强广场C座7楼001室	13430483190	麦逸芬	询价
深圳市全秀电子有限公司	NE850R599A	东久创新科技园6栋12楼整层	13129599479 13129599479	刘群	询价

NE850R599A及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
NE850R599A	C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET	CEL[California Eastern Labs]		22.95 Kbytes	共2页		无
NE850R599A	C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET	NEC[NEC]		19.07 Kbytes	共2页		AFM04P3-000,AFM04P3-212,NEZ4450-15BD,AFM04P3-213,NE6510179A,SXA-389,FLL400IP-2,HMC383LC4,NE85001,HMC300LM1

NE850R599A的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Area51	NE850R599A	NEC Electronics Group	SEMI Date Code: 99	价格未公开

NE850R599A的相关型号