图像仅供参考,请参阅规格书
晶体管类型:N 沟道 GaAs HJ-FET
频率:20GHz
增益:11dB
电压 - 测试:2V
额定电流:70mA
噪声系数:0.85dB
电流 - 测试:6mA
电压:4V
封装/外壳:4-SMD,扁平引线
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs