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NE3521M04-T2-A /
NE3521M04-T2-A的规格信息
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晶体管类型:N 沟道 GaAs HJ-FET

频率:20GHz

增益:11dB

电压 - 测试:2V

额定电流:70mA

噪声系数:0.85dB

电流 - 测试:6mA

电压:4V

封装/外壳:4-SMD,扁平引线

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商NE3521M04-T2-A
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NE3521M04-T2-AN-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO653.66 Kbytes共9页NE3521M04-T2-A的PDF下载地址
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NE3521M04-T2-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)N-CHANNEL GAAS HJ-FET, K-BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN - Tape and Reel3,000 : $0.7523
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29,999 : $0.7128
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