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标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:RF FET
系列:-
包装:带卷(TR)
晶体管类型:N 沟道 GaAs HJ-FET
频率:12GHz
增益:13dB
电压 - 测试:2V
额定电流:60mA
噪声系数:0.65dB
电流 - 测试:10mA
功率 - 输出:125mW
电压 - 额定:4V
封装/外壳:SOT-343F
供应商器件封装:M04