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NE3511S02-A /CEL/分立半导体产品
NE3511S02-A的规格信息
NE3511S02-A的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:RF FET

系列:-

包装:散装

晶体管类型:HFET

频率:12GHz

增益:13.5dB

电压 - 测试:2V

额定电流:70mA

噪声系数:0.3dB

电流 - 测试:10mA

功率 - 输出:-

电压 - 额定:4V

封装/外壳:4-SMD,扁平引线

供应商器件封装:S02

其它名称:NE3511S02A

供应商NE3511S02-A
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深圳市坤融电子有限公司NE3511S02-A航都大厦10I0755-23990975
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深圳市芯幂科技有限公司NE3511S02-A深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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13826514222
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NE3511S02-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)1+:¥22.84
10+:¥20.36
100+:¥16.7
250+:¥15.07
500+:¥13.5201
1000+:¥11.41
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NE3511S02-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled999 : $1.4023
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NE3511S02-ARenesas Electronics CorporationMOSFET20 : $4.55
60 : $4.14
200 : $3.47
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NE3511S02-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET NCH 13.5DB S02500 : $1.8592
250 : $2.072
100 : $2.296
10 : $2.8
1 : $3.14
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Digi-Key 得捷电子
NE3511S02-ACELRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频JFET晶体管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch1+:¥22.84
10+:¥20.36
100+:¥16.7
250+:¥15.07
500+:¥13.5201
1000+:¥11.41
2500+:¥10.8401
5000+:¥10.42
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NE3511S02-ACELHJ-FET NCH 13.5DB S02Obsolete
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Mouser 贸泽电子
NE3511S02-ACELRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频JFET晶体管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch1+:¥22.84
10+:¥20.36
100+:¥16.7
250+:¥15.07
500+:¥13.5201
1000+:¥11.41
2500+:¥10.8401
5000+:¥10.421+:¥17.48
10+:¥13.75
100+:¥13
500+:¥12.59
1000+:¥12.09
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Richardson RFPD
NE3511S02-ARenesas Electronics CorporationRF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET1 : $0.0