制造商:CEL

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

商标:CEL

晶体管类型:pHEMT

技术:GaAs

增益:12.5 dB

Vds-漏 00006000 源极击穿电压:4 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 3 V

Id-连续漏极电流:88 mA

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:165 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:S0-2

封装:Reel

正向跨导 - 最小值:70 mS

NF—噪声系数:0.3 dB

工作频率:12 GHz

P1dB - 压缩点:14 dBm

工厂包装数量:10000