NE3516S02-T1C-A的供应商，NE3516S02-T1C-A规格参数，NE3516S02-T1C-A的PDF资料

NE3516S02-T1C-A /CEL/分立半导体产品

NE3516S02-T1C-A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：2,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF FET

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：N 沟道 GaAs HJ-FET

频率：12GHz

增益：14dB

电压 - 测试：2V

额定电流：60mA

噪声系数：0.35dB

电流 - 测试：10mA

功率 - 输出：165mW

电压 - 额定：4V

封装/外壳：4-SMD，扁平引线

供应商器件封装：S02

NE3516S02-T1C-A的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	NE3516S02-T1C-A	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	NE3516S02-T1C-A	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NE3516S02-T1C-A	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市振钰科技有限公司	NE3516S02-T1C-A	深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I	0755-85270799 13926543930	廖先生	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	NE3516S02-T1C-A	中航路都会100大厦B座10Q	0755-82578328，0755-23914356 18617161819，15820786907	曹先生，吴小姐	询价
深圳市佳鸿质科技有限公司	NE3516S02-T1C-A	现代之窗8D1	13312958426	曾凯	询价

NE3516S02-T1C-A及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
NE3516S02-T1C-A	N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain	CEL[California Eastern Labs]		333.21 Kbytes	共9页		无
NE3516S02-T1C-A	N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain	RENESAS[Renesas Technology Corp]		152.78 Kbytes	共10页		无

NE3516S02-T1C-A的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Avnet Express	NE3516S02-T1C-A	California Eastern Laboratories (CEL)	SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Tape and Reel	2,000 : $0.8377 9,999 : $0.8157 19,999 : $0.8052
Digi-Key 得捷电子	NE3516S02-T1C-A	California Eastern Laboratories (CEL)	IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX	2,000 : $0.918
Digi-Key 得捷电子	NE3516S02-T1C-A	CEL	RF FET - 分立半导体产品	2000+:￥6.68
Mouser 贸泽电子	NE3516S02-T1C-A	CEL	RF FET - 分立半导体产品	2000+:￥6.682000+:￥7.19 10000+:￥7 20000+:￥6.91

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