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NE3512S02-T1D-A /射频JFET晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
NE3512S02-T1D-A的规格信息
NE3512S02-T1D-A的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品种类：射频JFET晶体管

类型：GaAs HEMT

正向跨导 - 最小值：55 mS

漏源电压 VDS：4 V

闸/源击穿电压：- 3 V

漏极连续电流：70 mA

频率：12 GHz

增益：13.5 dB

功率耗散：165 mW

最大工作温度：+ 125 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：S0-2

封装：Reel

商标：CEL

噪声系数：0.35 dB

产品：RF JFET

工厂包装数量：10000

ROHS： 无铅

供应商NE3512S02-T1D-A
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NE3512S02-T1D-AHETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO270.66 Kbytes共8页NE3512S02-T1D-A的PDF下载地址2SK3782,2SK3783,2SK4027,NE3508M04,2SK4028,2SK2552B,2N3823,2SK3230B,MMT3823,2SK3653B
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