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NE3517S03-T1D-A / 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ

NE3517S03-T1D-A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:CEL

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HFET

技术:GaAs

增益:13.5 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:4 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 3 V

Id-连续漏极电流:70 mA

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:165 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:S0-3

封装:Reel

商标:CEL

正向跨导 - 最小值:55 mS

NF—噪声系数:0.7 dB

工作频率:20 GHz

工厂包装数量:10 00005665 000

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	NE3517S03-T1D-A	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	NE3517S03-T1D-A	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	NE3517S03-T1D-A	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NE3517S03-T1D-A	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
上海三崧电子有限公司	NE3517S03-T1D-A	上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层	13818988389 17621743344	樊勉	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	NE3517S03-T1D-A	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市高捷半导体有限公司	NE3517S03-T1D-A	深圳市福田区航都大厦10层	13380394549 13380394549	颜小姐	询价

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NE3517S03-T1D-A	K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs HJ-FET	CEL[California Eastern Labs]		310.74 Kbytes	共8页		无

NE3517S03-T1D-A的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	NE3517S03-T1D-A	Renesas Electronics America Inc	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	$1.26000

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