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NE3513M04-T2B-A /
NE3513M04-T2B-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:N 沟道 GaAs HJ-FET

频率:12GHz

增益:13dB

电压 - 测试:2V

额定电流:60mA

噪声系数:0.65dB

电流 - 测试:10mA

功率 - 输出:125mW

电压:4V

封装/外壳:4-SMD,扁平引线

供应商器件封装:4 个超微型模具

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商NE3513M04-T2B-A
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