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NE3509M04-A /CEL/分立半导体产品
NE3509M04-A的规格信息
NE3509M04-A的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:RF FET

系列:-

包装:散装

晶体管类型:HFET

频率:2GHz

增益:17.5dB

电压 - 测试:2V

额定电流:60mA

噪声系数:0.4dB

电流 - 测试:10mA

功率 - 输出:11dBm

电压 - 额定:4V

封装/外壳:SOT-343F

供应商器件封装:M04

其它名称:NE3509M04A

供应商NE3509M04-A
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NE3509M04-AL to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO1277.17 Kbytes共11页NE3509M04-A的PDF下载地址NE321000,NE32400,NE32484A,NE32500,NE32584C,NE325S01,NE33284A,NE334S01,NE34018,NE4210M01
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NE3509M04-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled120 : $0.8616
499 : $0.818
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NE3509M04-ACELFET RF 4V 2GHZ 4-SMINIObsolete
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NE3509M04-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI10 : $1.736
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NE3509M04-ACELRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频JFET晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET1+:¥13.97
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NE3509M04-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NE3509 Series 4 Vds 150 mW L to S Band N-Ch Low Noise Amplifier
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