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NE3516S02-A /CEL/分立半导体产品
NE3516S02-A的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：RF FET

系列：-

包装：散装

晶体管类型：N 沟道 GaAs HJ-FET

频率：12GHz

增益：14dB

电压 - 测试：2V

额定电流：60mA

噪声系数：0.35dB

电流 - 测试：10mA

功率 - 输出：165mW

电压 - 额定：4V

封装/外壳：4-SMD，扁平引线

供应商器件封装：S02

供应商NE3516S02-A
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Digi-Key 得捷电子		NE3516S02-ACELIC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROXObsolete
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