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NE3516S02-A /CEL/分立半导体产品
NE3516S02-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:RF FET

系列:-

包装:散装

晶体管类型:N 沟道 GaAs HJ-FET

频率:12GHz

增益:14dB

电压 - 测试:2V

额定电流:60mA

噪声系数:0.35dB

电流 - 测试:10mA

功率 - 输出:165mW

电压 - 额定:4V

封装/外壳:4-SMD,扁平引线

供应商器件封装:S02

供应商NE3516S02-A
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