NE3514S02-T1D-A的供应商，NE3514S02-T1D-A规格参数，NE3514S02-T1D-A的PDF资料

NE3514S02-T1D-A /射频JFET晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

NE3514S02-T1D-A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

产品种类：射频JFET晶体管

类型：GaAs HEMT

正向跨导 - 最小值：55 mS

漏源电压 VDS：4 V

闸/源击穿电压：- 3 V

漏极连续电流：70 mA

频率：20 GHz

增益：10 dB

功率耗散：165 mW

最大工作温度：+ 125 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：S0-2

封装：Reel

商标：CEL

噪声系数：0.75 dB

产品：RF JFET

工厂包装数量：10000

ROHS：无铅

NE3514S02-T1D-A的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	NE3514S02-T1D-A	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
上海三崧电子有限公司	NE3514S02-T1D-A	上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层	13818988389 17621743344	樊勉	询价
深圳市兴中芯科技有限公司	NE3514S02-T1D-A	深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A65	13113670037 13113670037	唐先生	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	NE3514S02-T1D-A	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	NE3514S02-T1D-A	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	NE3514S02-T1D-A	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市高捷半导体有限公司	NE3514S02-T1D-A	深圳市福田区航都大厦10层	13380394549 13380394549	颜小姐	询价
深圳市宸远科技有限公司	NE3514S02-T1D-A	深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B4	0755-23481624 19068068798，15338712396	彭先生，许娜	询价

NE3514S02-T1D-A及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
NE3514S02-T1D-A	K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	CEL[California Eastern Labs]		269.67 Kbytes	共8页		UPC2713T,BGA622,ADN2880,WHM2535-12AE,2SC3356,NE5532,2SC5745,MT3S40T,WHM2040AE,TL072

NE3514S02-T1D-A的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Avnet Express	NE3514S02-T1D-A	California Eastern Laboratories (CEL)	SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Tape and Reel	10,000 : $0.8157 49,999 : $0.8052
Digi-Key 得捷电子	NE3514S02-T1D-A	Renesas Electronics America Inc	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	$0.64000
Richardson RFPD	NE3514S02-T1D-A	Renesas Electronics Corporation	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET	1 : $0.0

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