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EPC2100 /GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2100的规格信息
EPC2100的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列eGaN®

零件状态Digi-Key 停产

FET 类型2 个 N 通道(半桥)

FET 功能GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)10A(Ta),40A(Ta)

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)8.2 毫欧 @ 25A,5V,2.1 毫欧 @ 25A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)4.9nC @ 15V,19nC @ 15V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)475pF @ 15V,1960pF @ 15V

功率 - 最大值-

工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

封装/外壳模具

供应商器件封装模具

供应商EPC2100
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深圳市芯幂科技有限公司EPC2100深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司EPC2100深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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EPC2100EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID$6.94000
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EPC2100ENGEPC10+:¥70.37
100+:¥57.86
250+:¥53.1699
500+:¥48.4701
1000+:¥42.22
2500+:¥40.66
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