图像仅供参考，请参阅规格书
FET 类型：N 沟道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 20mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2300pF @ 15V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.3 毫欧 @ 40A，5V
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：模具
封装/外壳：模具
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs