特色产品：Gen 4 eGaN® FETs

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：eGaN®

包装：带卷（TR）

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 7A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：230pF @ 100V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

配用：917-1056-ND - BOARD DEV FOR EPC2019 200V EGAN

其它名称：917-1055-2