FET 类型：N 沟道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：31A（Ta）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 15mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1800pF @ 300V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.6 毫欧 @ 30A，5V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs