特色产品：EPC2025 300 V Enhancement-Mode GaN Transistors

标准包装：10

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：eGaN®

包装：托盘

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：300V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 3A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：194pF @ 240V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具剖面（12 焊条）

配用：917-1074-ND - EVAL BOARD EGAN FET EPC2025

其它名称：917-EPC2025ENGREPC2025ENGRC