特色产品：EPC2016 100 V eGaN® FET EPC9106 Class-D Audio Amplifier

参考设计库：EPC9106: 250W(x2) @ 4O, ± 27V in, Class D

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：eGaN®

包装：带卷（TR）

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 11A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 3mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：4.1nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：480pF @ 50V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

配用：917-1031-ND - BOARD DEV FOR EPC2016

其它名称：917-1027-2