FET 类型：N 沟道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：48A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 7mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：8.8nC @ 5V

Vgs（最大值）：+6V，-4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：950pF @ 100V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 20A，5V

工作温度：-40°C ~ 140°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：模具

封装/外壳：模具

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs