产品培训模块：eGaN FET Reliability Second Gen Lead Free eGaN FETs Overview Paralleling eGaN® FETs Driving eGaN FETs with LM5113

视频文件：EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment / DigiKey

特色产品：eGaN? FETs Demo Board EPC9101

参考设计库：EPC9107: 3.3V @ 15A, 9 ~ 28V in

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：eGaN®

包装：带卷（TR）

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：33A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 33A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 9mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1100pF @ 20V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具剖面（11 焊条）

配用：917-1067-ND - BOARD DEV EPC2015/23 EGAN917-1049-ND - DEV GAN 1/2 BRIDGE 2015 W/LM5113

其它名称：917-1019-2