产品培训模块：Paralleling eGaN® FETs Driving eGaN FETs with LM5113

视频文件：EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment / DigiKey

特色产品：EPC2014 40 V eGaN® FET Demo Board EPC9101

参考设计库：EPC9101: eGAN Buck, 1.2V @ 18A, 9 ~ 18V in

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：eGaN®

包装：带卷（TR）

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 5A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：2.48nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：300pF @ 20V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具剖面（5 焊条）

配用：917-1051-ND - EVAL BOARD GAN ZVS CLASS D AMP917-1053-ND - EVAL BOARD CLASS D WIRELESS DEMO

其它名称：917-1018-2