FET 类型：N 沟道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：31A（Ta）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 9mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1140pF @ 75V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 25A，5V

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：模具

封装/外壳：模具

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs