特色产品：Gen 4 eGaN® FETs

标准包装：10

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：eGaN®

包装：托盘

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 29A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 14mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1700pF @ 40V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

配用：917-1073-ND - EVAL BOARD EGAN FET917-1095-ND - EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021917-1068-ND - BOARD DEV EPC2001/21 EGAN917-1058-ND - BOARD DEV FOR EPC2021 80V EGAN917-1096-ND - DEMO CIRCUIT FOR EPC2021 80V

其它名称：917-EPC2021ENGEPC2021ENGRB3