产品培训模块：Paralleling eGaN® FETs Driving eGaN FETs with LM5113

视频文件：EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment / DigiKey

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：eGaN®

包装：带卷（TR）

FET 类型：GaNFET N 通道，氮化镓

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：2.1nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：205pF @ 50V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具剖面（5 焊条）

配用：917-1070-ND - EVAL BOARD GAN ZVS CLASS D AMP917-1052-ND - EVAL BOARD GAN ZVS CLASS D AMP917-1054-ND - EVAL BOARD CLASS D WIRELESS DEMO

其它名称：917-1015-2