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SIR850DP-T1-GE3中文PDF资料信息
SIR850DP-T1-GE3中文PDF资料
SIR850DP-T1-GE3
功能描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):25V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.8W 类型:N沟道
PDF文件大小:
306.52 Kbytes
PDF页数:
共13页
制造商:
VISHAY(威世)
制造商LOGO:
制造商网址:
http://www.vishay.com
下载:
SIR850DP-T1-GE3中文PDF资料
SIR850DP-T1-GE3
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