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SIS330DN-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIS330DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：35A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：35nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1300pF @ 15V

功率 - 最大值：52W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® 1212-8

供应商器件封装：PowerPAK® 1212-8

供应商SIS330DN-T1-GE3
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深圳市坤融电子有限公司SiS330DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
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SIS330DN-T1-GE3N-Channel 30 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO578.84 Kbytes共13页SIS330DN-T1-GE3的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		SIS330DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:￥3.461+:￥6.8401
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