系列：TrenchFET®
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：27nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：985pF @ 15V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），29.8W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：9.5 毫欧 @ 10A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® SO-8
封装形式Package：SOIC-8
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：20A
漏源极导通电阻RDS(ON)：10mOhms
无铅情况/RoHs：否