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SIR464DP-T1-GE3 /Single N-Channel 30 V 0.0031 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
SIR464DP-T1-GE3的规格信息
SIR464DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：50A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：95nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：3545pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），69W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：3.1 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

封装形式Package：SOIC-8

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：50A

漏源极导通电阻RDS(ON)：3.1mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SIR464DP-T1-GE3
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集好芯城SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市坤融电子有限公司SIR464DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIR464DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIR464DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIR464DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市芯奕科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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深圳市成源运利电子科技有限公司SIR464DP-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
SIR464DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SIR464DP-T1-GE3N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO192.71 Kbytes共9页SIR464DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIR464DP-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIR464DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V3000+:￥4.17
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15000+:￥3.8201
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75000+:￥3.571+:￥8.28
10+:￥6.61
100+:￥5.11
500+:￥4.51
1000+:￥4.41
3000+:￥4.21
6000+:￥4.05
9000+:￥3.95
24000+:￥3.85991+:￥6.21
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元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SIR464DP-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.7692
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIR464DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-86,000 : $0.5453
3,000 : $0.574
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIR464DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V3000+:￥4.17
6000+:￥3.97
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30000+:￥3.7
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SIR464DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK8
RoHS : Compliant		1 : $6.9
10 : $5.7
25 : $5.1
100 : $4.5
250 : $4.1
500 : $3.9
1,000 : $3.8
2,500 : $3.7
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SIR464DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK8
RoHS : Compliant		1 : $9.76
10 : $7.69
100 : $6.88
250 : $6.01
500 : $5.38
1,000 : $4.19
3,000 : $4.18
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SIR464DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 30 V 0.0031 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
RoHS : Compliant		750 : $0.6667
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SIR464DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V3000+:￥4.17
6000+:￥3.97
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIR464DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V3000+:￥4.17
6000+:￥3.97
15000+:￥3.8201
30000+:￥3.7
75000+:￥3.571+:￥8.28
10+:￥6.61
100+:￥5.11
500+:￥4.51
1000+:￥4.41
3000+:￥4.21
6000+:￥4.05
9000+:￥3.95
24000+:￥3.8599
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Mouser 贸泽电子		SIR464DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
3,000:¥4.7234
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIR464DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.1mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：N沟道1+:￥10.04
10+:￥9.75
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