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SIR812DP-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIR812DP-T1-GE3的规格信息
SIR812DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.45 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：335nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：10240pF @ 15V

功率 - 最大值：104W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK® SO-8

供应商器件封装：PowerPAK® SO-8

其它名称：SIR812DP-T1-GE3TRSIR812DPT1GE3

供应商SIR812DP-T1-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SiR812DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子（香港）有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIR812DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SiR812DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市星宇佳科技有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
万三科技（深圳）有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
18818598465		王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SIR812DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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北京显周科技有限公司SIR812DP-T1-GE3北京市海淀区西三旗沁春家园1号楼、2号楼、3号楼2层201-2036010-85525361
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SIR812DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SIR812DP-T1-GE3N-Channel 30 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO160.14 Kbytes共9页SIR812DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIR812DP-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIR812DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V3000+:￥4.78
6000+:￥4.55
15000+:￥4.38
30000+:￥4.24
75000+:￥4.111+:￥9.5201
10+:￥7.59
100+:￥5.8599
500+:￥5.1801
1000+:￥5.06
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24000+:￥4.431+:￥11.56
10+:￥10.1999
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Avnet Express		SIR812DP-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.86
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Digi-Key 得捷电子		SIR812DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-810 : $1.429
1 : $1.6
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Digi-Key 得捷电子		SIR812DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIR812DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V3000+:￥4.78
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SIR812DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V PPAK-SO8
RoHS : Compliant		1 : $9.7
10 : $8. 1604 1
100 : $7.2
250 : $6.4
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1,000 : $5.5
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SIR812DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V3000+:￥4.78
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Mouser 贸泽电子		SIR812DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V1:¥12.5995
10:¥10.3734
100:¥7.91
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Mouser 贸泽电子		SIR812DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V3000+:￥4.78
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立创商城		SIR812DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.45mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.25W 类型：N沟道1+:￥17.11
10+:￥14.86
30+:￥14.45
100+:￥14.04
500+:￥13.86
1000+:￥13.63
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