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SIR770DP-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR770DP-T1-GE3的规格信息
SIR770DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:21 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:17.8 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SIR

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:31 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:SIR770DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SIR770DP-T1-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIR770DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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19854773352
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIR770DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiR770DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳诚思涵科技有限公司SiR770DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市星宇佳科技有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905
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深圳市星宇佳科技有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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万三科技(深圳)有限公司SIR770DP-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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SIR770DP-T1-GE3Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO514.88 Kbytes共18页SIR770DP-T1-GE3的PDF下载地址
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SIR770DP-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.461+:¥6.8401
10+:¥5.5199
100+:¥4.24
500+:¥3.74
1000+:¥3.66
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6000+:¥3.36
9000+:¥3.28
24000+:¥3.17993000+:¥4.611+:¥3.8
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Avnet Express
SIR770DP-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY - Tape and Reel3,000 : $0.4724
14,999 : $0.4557
29,999 : $0.4447
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SIR770DP-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.461+:¥6.8401
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SIR770DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-83,000 : $0.476
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Digi-Key 得捷电子
SIR770DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8$1.23000
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Digi-Key 得捷电子
SIR770DP-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.46
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Future Electronics
SIR770DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSiR770DP Series 30 V 0.021 Ohm SMT Dual N-Channel MOSFET - PowerPAK SO-8
RoHS : Compliant
3,000 : $0.5056
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Mouser 贸泽电子
SIR770DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥9.1417
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
1,000:¥4.3618
3,000:¥4.3618
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Mouser 贸泽电子
SIR770DP-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky FET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.461+:¥6.8401
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SIR770DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.8V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):17.8W 类型:双N沟道1+:¥8.26
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