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SIR882DP-T1-GE3 /MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts
SIR882DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:7.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:58 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:57 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:36 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:SIR882DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SIR882DP-T1-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIR882DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
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芯莱德电子(香港)有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市芯幂科技有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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15302723671/15820783671
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市微碧半导体有限公司SIR882DP-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市惊羽科技有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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北京显周科技有限公司SIR882DP-T1-GE3北京市海淀区西三旗沁春家园1号楼、2号楼、3号楼2层201-2036010-85525361
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深圳市威雅利发展有限公司SIR882DP-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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深圳市金华微盛电子有限公司SIR882DP-T1-GE3深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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SIR882DP-T1-GE3N-Channel 100 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO509.85 Kbytes共13页SIR882DP-T1-GE3的PDF下载地址
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Avnet
SIR882DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts3000+:¥7.95
6000+:¥7.66
15000+:¥7.36
30000+:¥7.25
75000+:¥7.071+:¥14.58
10+:¥11.68
100+:¥9.36
500+:¥9.36
1000+:¥8.7
3000+:¥7.98
6000+:¥7.91
9000+:¥7.6
24000+:¥7.573000+:¥10.73
6000+:¥9.96
12000+:¥9.36
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Avnet Express
SIR882DP-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $1.88
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Avnet Express
SIR882DP-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $1.25
6,000 : $1.16
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Digi-Key 得捷电子
SIR882DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-810 : $2.211
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Digi-Key 得捷电子
SIR882DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts3000+:¥7.95
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element14 Asia-Pacific
SIR882DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFETN CHDIODE100V60APPAKSO8
RoHS : Compliant
1 : $18.75
10 : $16.959999
25 : $15.19
100 : $13.66
250 : $12.13
500 : $10.6
1,000 : $10.2
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Future Electronics
SIR882DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSiR882DP Series 100 V 8.7 mOhm SMT N-Channel Mosfet - PowerPAK? SO-8
RoHS : Compliant
3,000 : $1.2
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Mouser 贸泽电子
SIR882DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts1:¥19.3682
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Mouser 贸泽电子
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Tti
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