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SIR836DP-T1-GE3 /MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR836DP-T1-GE3的规格信息
SIR836DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:21 A

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:11.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:15.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:6.15 mm

系列:SIR

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:35 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:SIR836DP-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SIR836DP-T1-GE3
SIR836DP-T1-GE3的供应商,可免费索样
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现代芯城（深圳）科技有限公司SIR836DP-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SIR836DP-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
集好芯城SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIR836DP-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
集好芯城SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiR836DP-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIR836DP-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市大源实业科技有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915，13762584085		李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIR836DP-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIR836DP-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIR836DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
SIR836DP-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SIR836DP-T1-GE3N-Channel 40-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO115.62 Kbytes共7页SIR836DP-T1-GE3的PDF下载地址无
SIR836DP-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SIR836DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts3000+:￥2.21
6000+:￥2.06
15000+:￥1.9901
30000+:￥1.91
75000+:￥1.87
150000+:￥1.83991+:￥4.81
10+:￥3.78
100+:￥2.87
500+:￥2.44
1000+:￥2.26
3000+:￥2.26
6000+:￥2.08
9000+:￥2.06
24000+:￥1.983000+:￥2.441+:￥2.74
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SIR836DP-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.42
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop		SIR836DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesUnidentified
RoHS : Compliant		3,000 : $0.344
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SIR836DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts3000+:￥2.21
6000+:￥2.06
15000+:￥1.9901
30000+:￥1.91
75000+:￥1.87
150000+:￥1.83991+:￥4.81
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100+:￥2.87
500+:￥2.44
1000+:￥2.26
3000+:￥2.26
6000+:￥2.08
9000+:￥2.06
24000+:￥1.983000+:￥2.44
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8$0.87000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-815,000 : $0.273
6,000 : $0.2835
3,000 : $0.3045
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIR836DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts3000+:￥2.21
6000+:￥2.06
15000+:￥1.9901
30000+:￥1.91
75000+:￥1.87
150000+:￥1.8399
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SIR836DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSiR836DP Series N-Channel 40 V 0.0225 Ohm 15.6 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8
RoHS : Compliant		3,000 : $0.3167
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIR836DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-81:¥6.3732
10:¥5.1528
100:¥3.9098
500:¥3.2318
3,000:¥3.2318
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIR836DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts3000+:￥2.21
6000+:￥2.06
15000+:￥1.9901
30000+:￥1.91
75000+:￥1.87
150000+:￥1.83991+:￥4.81
10+:￥3.78
100+:￥2.87
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1000+:￥2.26
3000+:￥2.26
6000+:￥2.08
9000+:￥2.06
24000+:￥1.98
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIR836DP-T1-GE3Vishay Intertechnologies40-V (D-S) MOSFET$0.3564
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIR836DP-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts3000+:￥2.21
6000+:￥2.06
15000+:￥1.9901
30000+:￥1.91
75000+:￥1.87
150000+:￥1.83991+:￥4.81
10+:￥3.78
100+:￥2.87
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1000+:￥2.26
3000+:￥2.26
6000+:￥2.08
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24000+:￥1.983000+:￥2.441+:￥2.741+:￥2.6701
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIR836DP-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：15.6W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.87
10+:￥2.9
30+:￥2.72
100+:￥2.4735
500+:￥2.3959
1000+:￥2.3571
SIR836DP-T1-GE3的相关型号
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